HC3D12065G
IC
TO-263
可供量大可议
HC3D12065G
此碳化硅二极管专为高功率应用设计， 耐压650V可靠耐用， 12A大电流承载力满足更广泛系统需求。 其正向压降低至1.3V， 确保高效能转换与低温运行， 是提升现代电子设备能效与可靠性的关键元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
200
货期
现货
HC3D12065G参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 200 |
HC3D12065G概述
此碳化硅二极管专为高功率应用设计， 耐压650V可靠耐用， 12A大电流承载力满足更广泛系统需求。 其正向压降低至1.3V， 确保高效能转换与低温运行， 是提升现代电子设备能效与可靠性的关键元件。
HC3D12065G特性
暂无产品特性。
HC3D12065G应用领域
暂无应用领域。