HC3D06065E
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HC3D06065E
此款碳化硅二极管专为高性能应用设计， 具备650V高耐压， 能承载6A强劲电流， 其优异的1.3V低正向压降特性， 大幅降低了能量损耗， 提升了系统效率， 是高能效电源管理及精密电路的优选组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
434
货期
现货
HC3D06065E参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 434 |
HC3D06065E概述
此款碳化硅二极管专为高性能应用设计， 具备650V高耐压， 能承载6A强劲电流， 其优异的1.3V低正向压降特性， 大幅降低了能量损耗， 提升了系统效率， 是高能效电源管理及精密电路的优选组件。
HC3D06065E特性
暂无产品特性。
HC3D06065E应用领域
暂无应用领域。