HC3D04065E
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HC3D04065E
此碳化硅二极管特为高效电源方案打造， 耐压达650伏特， 支持4安培持续电流， 加之仅1.3伏特的低正向压降， 有效提升了电能使用效率， 减少了热量输出， 是构建高能效、紧凑型电子设备的优选元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
370
货期
现货
HC3D04065E参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 370 |
HC3D04065E概述
此碳化硅二极管特为高效电源方案打造， 耐压达650伏特， 支持4安培持续电流， 加之仅1.3伏特的低正向压降， 有效提升了电能使用效率， 减少了热量输出， 是构建高能效、紧凑型电子设备的优选元件。
HC3D04065E特性
暂无产品特性。
HC3D04065E应用领域
暂无应用领域。