HC2M1000170D

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装， 专为1700V超高电压、中等电流应用设计。 额定电流5A， 适用于严苛环境下的电源转换、逆变器和高压开关电路， 具有卓越的高温稳定性、低导通电阻及快速开关特性， 是现代电力电子设备的理想组件。