HC2M0160120K
IC
TO-247-4L
可供量大可议
HC2M0160120K
这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装， 专为1200V高电压应用设计。 额定电流19A， 适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统， 具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性， 是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-4L
库存
1
货期
现货
HC2M0160120K参数
| 封装 | TO-247-4L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
HC2M0160120K概述
这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装， 专为1200V高电压应用设计。 额定电流19A， 适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统， 具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性， 是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。
HC2M0160120K特性
暂无产品特性。
HC2M0160120K应用领域
暂无应用领域。