HC2M0160120D

该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装， 专为1200V高电压应用设计。 额定电流18A， 适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统， 具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应速度， 是现代电力电子设备中实现高效能控制的理想组件。