HC2M0080120K

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装， 专为高电压、大电流应用打造。 额定耐压1200V， 连续电流高达36A， 适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统， 具备卓越的高温性能、低导通电阻及高效能优势， 是现代能源管理系统的核心器件。