HC2M0080120D

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装， 专为1200V高电压、大电流应用设计。 额定电流36A， 特别适合严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统， 具备出色的高温稳定性能、低导通电阻及快速开关速度， 是现代高效能源管理的理想半导体元件。