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HC2M0045170D
IC

TO-247-3L

可供量大可议

HC2M0045170D

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装, 专为1700V超高电压、大电流应用设计。 额定连续电流高达72A, 适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统, 具备出色的高温稳定性、低导通电阻及快速开关性能, 是现代电力电子设备的核心部件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-3L

库存

2

货期

现货

HC2M0045170D参数

封装TO-247-3L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存2

HC2M0045170D概述

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装, 专为1700V超高电压、大电流应用设计。 额定连续电流高达72A, 适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统, 具备出色的高温稳定性、低导通电阻及快速开关性能, 是现代电力电子设备的核心部件。

HC2M0045170D特性

暂无产品特性。

HC2M0045170D应用领域

暂无应用领域。

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