HC2M0045170D
IC
TO-247-3L
可供量大可议
HC2M0045170D
该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装, 专为1700V超高电压、大电流应用设计。 额定连续电流高达72A, 适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统, 具备出色的高温稳定性、低导通电阻及快速开关性能, 是现代电力电子设备的核心部件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-3L
库存
2
货期
现货
HC2M0045170D参数
| 封装 | TO-247-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
HC2M0045170D概述
该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装, 专为1700V超高电压、大电流应用设计。 额定连续电流高达72A, 适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统, 具备出色的高温稳定性、低导通电阻及快速开关性能, 是现代电力电子设备的核心部件。
HC2M0045170D特性
暂无产品特性。
HC2M0045170D应用领域
暂无应用领域。
