HC1D20120G
IC
TO-263-2L
可供量大可议
HC1D20120G
这款碳化硅二极管拥有20安培的最大工作电流IF, 反向电压VR高达1200伏特, 同时其正向电压VF为1.4伏特。 其高性能特点适合应用于需要高电压隔离和快速开关特性的电子设备中, 可以广泛支持从电源适配到能量转换的各种非工业标准电路配置, 确保了电能转换过程中的效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263-2L
库存
32
货期
现货
HC1D20120G参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 32 |
HC1D20120G概述
这款碳化硅二极管拥有20安培的最大工作电流IF, 反向电压VR高达1200伏特, 同时其正向电压VF为1.4伏特。 其高性能特点适合应用于需要高电压隔离和快速开关特性的电子设备中, 可以广泛支持从电源适配到能量转换的各种非工业标准电路配置, 确保了电能转换过程中的效率与可靠性。
HC1D20120G特性
暂无产品特性。
HC1D20120G应用领域
暂无应用领域。
