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HC1D20065G
IC

TO-263

可供量大可议

HC1D20065G

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性, 其最大工作电流IF可达20安培, 反向击穿电压VR高达650伏特, 正向电压降VF仅为1.3伏特, 能够在高频率与严苛条件下保持稳定性能。 适用于需要高效能与可靠性的电路设计中, 如电源转换、逆变以及其他对效率和热性能有严格要求的应用领域。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

139

货期

现货

HC1D20065G参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存139

HC1D20065G概述

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性, 其最大工作电流IF可达20安培, 反向击穿电压VR高达650伏特, 正向电压降VF仅为1.3伏特, 能够在高频率与严苛条件下保持稳定性能。 适用于需要高效能与可靠性的电路设计中, 如电源转换、逆变以及其他对效率和热性能有严格要求的应用领域。

HC1D20065G特性

暂无产品特性。

HC1D20065G应用领域

暂无应用领域。

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