HC1D20065G
IC
TO-263
可供量大可议
HC1D20065G
这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性, 其最大工作电流IF可达20安培, 反向击穿电压VR高达650伏特, 正向电压降VF仅为1.3伏特, 能够在高频率与严苛条件下保持稳定性能。 适用于需要高效能与可靠性的电路设计中, 如电源转换、逆变以及其他对效率和热性能有严格要求的应用领域。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
139
货期
现货
HC1D20065G参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 139 |
HC1D20065G概述
这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性, 其最大工作电流IF可达20安培, 反向击穿电压VR高达650伏特, 正向电压降VF仅为1.3伏特, 能够在高频率与严苛条件下保持稳定性能。 适用于需要高效能与可靠性的电路设计中, 如电源转换、逆变以及其他对效率和热性能有严格要求的应用领域。
HC1D20065G特性
暂无产品特性。
HC1D20065G应用领域
暂无应用领域。
