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HC1D15065G
IC

TO-263

可供量大可议

HC1D15065G

这款碳化硅二极管拥有15安培的最大电流(IF)承载能力, 以及650伏特的反向电压(VR)耐受度, 能够在高压环境中稳定工作, 确保电路的安全与可靠。 其正向电压降(VF)仅为1.3伏特, 在保证性能的同时, 减少了能量损耗。 此元件适用于需要高效率能量转换的场合, 如高性能电源供应器、逆变器以及其他需要快速开关特性的电路设计中, 能够提升系统的整体效率并减少发热。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-263

Stock

68

货期

现货

HC1D15065GParameters

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存68

HC1D15065G概述

这款碳化硅二极管拥有15安培的最大电流(IF)承载能力, 以及650伏特的反向电压(VR)耐受度, 能够在高压环境中稳定工作, 确保电路的安全与可靠。 其正向电压降(VF)仅为1.3伏特, 在保证性能的同时, 减少了能量损耗。 此元件适用于需要高效率能量转换的场合, 如高性能电源供应器、逆变器以及其他需要快速开关特性的电路设计中, 能够提升系统的整体效率并减少发热。

HC1D15065G特性

暂无产品特性。

HC1D15065G应用领域

暂无应用领域。

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