HC1D100065H
IC
TO-247-2L
可供量大可议
HC1D100065H
这款碳化硅二极管具有卓越的电气特性, 整流电流IF最高可达100安培, 反向耐压VR为650伏特, 而正向电压VF低至1.3伏特。 这些参数表明它能在大电流条件下工作, 并且由于较低的VF值, 可以有效降低导通时的能量损失。 适用于需要处理高电流且要求高效能的应用场景, 如高频电源转换或其它需要快速开关特性的电路设计中, 能够提升系统的整体效率并保持良好的热稳定性。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-247-2L
Stock
36
货期
现货
HC1D100065HParameters
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 36 |
HC1D100065H概述
这款碳化硅二极管具有卓越的电气特性, 整流电流IF最高可达100安培, 反向耐压VR为650伏特, 而正向电压VF低至1.3伏特。 这些参数表明它能在大电流条件下工作, 并且由于较低的VF值, 可以有效降低导通时的能量损失。 适用于需要处理高电流且要求高效能的应用场景, 如高频电源转换或其它需要快速开关特性的电路设计中, 能够提升系统的整体效率并保持良好的热稳定性。
HC1D100065H特性
暂无产品特性。
HC1D100065H应用领域
暂无应用领域。
