HC1D08065N
IC
QPFN-8(5x6)
可供量大可议
HC1D08065N
这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF), 能够承受高达650V的反向电压(VR), 确保了在高电压环境下的稳定性。 其正向电压降(VF)仅为1.3V, 在保证性能的同时, 降低了能量损耗。 此元件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、可靠性的电子设备中, 能够在减少热管理需求的同时提供更佳的系统效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
QPFN-8(5x6)
库存
164
货期
现货
HC1D08065N参数
| 封装 | QPFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 164 |
HC1D08065N概述
这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF), 能够承受高达650V的反向电压(VR), 确保了在高电压环境下的稳定性。 其正向电压降(VF)仅为1.3V, 在保证性能的同时, 降低了能量损耗。 此元件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、可靠性的电子设备中, 能够在减少热管理需求的同时提供更佳的系统效率。
HC1D08065N特性
暂无产品特性。
HC1D08065N应用领域
暂无应用领域。
