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HC1D08065N
IC

QPFN-8(5x6)

可供量大可议

HC1D08065N

这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF), 能够承受高达650V的反向电压(VR), 确保了在高电压环境下的稳定性。 其正向电压降(VF)仅为1.3V, 在保证性能的同时, 降低了能量损耗。 此元件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、可靠性的电子设备中, 能够在减少热管理需求的同时提供更佳的系统效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

QPFN-8(5x6)

库存

164

货期

现货

HC1D08065N参数

封装QPFN-8(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存164

HC1D08065N概述

这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF), 能够承受高达650V的反向电压(VR), 确保了在高电压环境下的稳定性。 其正向电压降(VF)仅为1.3V, 在保证性能的同时, 降低了能量损耗。 此元件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、可靠性的电子设备中, 能够在减少热管理需求的同时提供更佳的系统效率。

HC1D08065N特性

暂无产品特性。

HC1D08065N应用领域

暂无应用领域。

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