HC1D08065E
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HC1D08065E
这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF), 能够承受高达650V的反向电压(VR), 保证了其在高压环境下的可靠性。 该二极管在其工作期间展现出较低的正向电压降(VF)为1.3V, 这意味着它在导通状态下损耗的能量较少, 有助于提升系统的整体效率。 适用于需要高效率及稳定性能的电路设计中, 特别是在要求快速开关特性的场合下表现优异。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
141
货期
现货
HC1D08065E参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 141 |
HC1D08065E概述
这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF), 能够承受高达650V的反向电压(VR), 保证了其在高压环境下的可靠性。 该二极管在其工作期间展现出较低的正向电压降(VF)为1.3V, 这意味着它在导通状态下损耗的能量较少, 有助于提升系统的整体效率。 适用于需要高效率及稳定性能的电路设计中, 特别是在要求快速开关特性的场合下表现优异。
HC1D08065E特性
暂无产品特性。
HC1D08065E应用领域
暂无应用领域。
