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HC1D08065E
IC

TO-252-2L

可供量大可议

HC1D08065E

这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF), 能够承受高达650V的反向电压(VR), 保证了其在高压环境下的可靠性。 该二极管在其工作期间展现出较低的正向电压降(VF)为1.3V, 这意味着它在导通状态下损耗的能量较少, 有助于提升系统的整体效率。 适用于需要高效率及稳定性能的电路设计中, 特别是在要求快速开关特性的场合下表现优异。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

141

货期

现货

HC1D08065E参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存141

HC1D08065E概述

这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF), 能够承受高达650V的反向电压(VR), 保证了其在高压环境下的可靠性。 该二极管在其工作期间展现出较低的正向电压降(VF)为1.3V, 这意味着它在导通状态下损耗的能量较少, 有助于提升系统的整体效率。 适用于需要高效率及稳定性能的电路设计中, 特别是在要求快速开关特性的场合下表现优异。

HC1D08065E特性

暂无产品特性。

HC1D08065E应用领域

暂无应用领域。

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