HC1D06065N
IC
QPFN-8(5x6)
可供量大可议
HC1D06065N
这款碳化硅二极管具备6A的正向电流(IF)承载能力, 以及650V的反向电压(VR)耐受性, 确保了在高压应用中的可靠性。 其较低的正向电压(VF)为1.3V, 有助于减少导通时的功率损耗。 适用于需要高效率与稳健性能的场合, 如高性能的开关电源转换、光伏能源转换系统及消费类电子产品中的整流应用, 可以提升整体电路的效能与耐用性。
品牌
HXY MOSFET
封装
QPFN-8(5x6)
库存
462
货期
现货
HC1D06065N参数
| 封装 | QPFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 462 |
HC1D06065N概述
这款碳化硅二极管具备6A的正向电流(IF)承载能力, 以及650V的反向电压(VR)耐受性, 确保了在高压应用中的可靠性。 其较低的正向电压(VF)为1.3V, 有助于减少导通时的功率损耗。 适用于需要高效率与稳健性能的场合, 如高性能的开关电源转换、光伏能源转换系统及消费类电子产品中的整流应用, 可以提升整体电路的效能与耐用性。
HC1D06065N特性
暂无产品特性。
HC1D06065N应用领域
暂无应用领域。
