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HC1D06065N
IC

QPFN-8(5x6)

可供量大可议

HC1D06065N

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流(IF)承载能力, 以及650V的反向电压(VR)耐受性, 确保了在高压应用中的可靠性。 其较低的正向电压(VF)为1.3V, 有助于减少导通时的功率损耗。 适用于需要高效率与稳健性能的场合, 如高性能的开关电源转换、光伏能源转换系统及消费类电子产品中的整流应用, 可以提升整体电路的效能与耐用性。

品牌

HXY MOSFET

封装

QPFN-8(5x6)

库存

462

货期

现货

HC1D06065N参数

封装QPFN-8(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存462

HC1D06065N概述

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流(IF)承载能力, 以及650V的反向电压(VR)耐受性, 确保了在高压应用中的可靠性。 其较低的正向电压(VF)为1.3V, 有助于减少导通时的功率损耗。 适用于需要高效率与稳健性能的场合, 如高性能的开关电源转换、光伏能源转换系统及消费类电子产品中的整流应用, 可以提升整体电路的效能与耐用性。

HC1D06065N特性

暂无产品特性。

HC1D06065N应用领域

暂无应用领域。

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