HC1D04065F
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
HC1D04065F
这款碳化硅二极管具有4A的最大电流(IF)承载能力, 以及650V的反向电压(VR), 适用于需要高效率及高频操作的应用场景。 其正向电压降(VF)仅为1.3V, 在保证性能的同时, 能有效减少能量损耗。 此元件特别适合用于需要快速开关特性和恶劣环境下稳定工作的电路设计中, 如高性能电源转换系统或便携式设备充电解决方案等。 选用该碳化硅二极管, 可以显著提升电子设备的工作效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
85
货期
现货
HC1D04065F参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 85 |
HC1D04065F概述
这款碳化硅二极管具有4A的最大电流(IF)承载能力, 以及650V的反向电压(VR), 适用于需要高效率及高频操作的应用场景。 其正向电压降(VF)仅为1.3V, 在保证性能的同时, 能有效减少能量损耗。 此元件特别适合用于需要快速开关特性和恶劣环境下稳定工作的电路设计中, 如高性能电源转换系统或便携式设备充电解决方案等。 选用该碳化硅二极管, 可以显著提升电子设备的工作效率与可靠性。
HC1D04065F特性
暂无产品特性。
HC1D04065F应用领域
暂无应用领域。
