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HC1D02065E
IC

TO-252-2L

可供量大可议

HC1D02065E

这款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF), 可在电路中承载稳定的电流负载。 其设计支持最高650V的反向电压(VR), 确保了在高压条件下的安全运行。 同时, 该二极管展示出1.3V的正向电压降(VF), 这表明其在导通状态下的能量损失较小, 有助于提高电路中的能量转换效率。 此元件适用于高频开关电源以及其他对效率与可靠性有较高要求的应用中, 是追求高性能电子设计的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

128

货期

现货

HC1D02065E参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存128

HC1D02065E概述

这款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF), 可在电路中承载稳定的电流负载。 其设计支持最高650V的反向电压(VR), 确保了在高压条件下的安全运行。 同时, 该二极管展示出1.3V的正向电压降(VF), 这表明其在导通状态下的能量损失较小, 有助于提高电路中的能量转换效率。 此元件适用于高频开关电源以及其他对效率与可靠性有较高要求的应用中, 是追求高性能电子设计的理想选择。

HC1D02065E特性

暂无产品特性。

HC1D02065E应用领域

暂无应用领域。

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