HC1D02065E
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HC1D02065E
这款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF), 可在电路中承载稳定的电流负载。 其设计支持最高650V的反向电压(VR), 确保了在高压条件下的安全运行。 同时, 该二极管展示出1.3V的正向电压降(VF), 这表明其在导通状态下的能量损失较小, 有助于提高电路中的能量转换效率。 此元件适用于高频开关电源以及其他对效率与可靠性有较高要求的应用中, 是追求高性能电子设计的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
128
货期
现货
HC1D02065E参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 128 |
HC1D02065E概述
这款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF), 可在电路中承载稳定的电流负载。 其设计支持最高650V的反向电压(VR), 确保了在高压条件下的安全运行。 同时, 该二极管展示出1.3V的正向电压降(VF), 这表明其在导通状态下的能量损失较小, 有助于提高电路中的能量转换效率。 此元件适用于高频开关电源以及其他对效率与可靠性有较高要求的应用中, 是追求高性能电子设计的理想选择。
HC1D02065E特性
暂无产品特性。
HC1D02065E应用领域
暂无应用领域。
