HC1D02065A
IC
TO-220H-2L
可供量大可议
HC1D02065A
这款碳化硅二极管具备2A的最大电流(IF)承受能力, 最高可承受650V的反向电压(VR), 同时拥有较低的正向电压(VF)1.3V, 这有助于降低导通时的功耗。 该二极管适用于需要高效能和低损耗特性的小型电子产品中, 例如在高频开关电源、消费类电子产品中的电源管理模块或是其他要求严苛的便携式电子装置里, 能够提供可靠的整流作用, 并确保电路在高压下的稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220H-2L
库存
28
货期
现货
HC1D02065A参数
| 封装 | TO-220H-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 28 |
HC1D02065A概述
这款碳化硅二极管具备2A的最大电流(IF)承受能力, 最高可承受650V的反向电压(VR), 同时拥有较低的正向电压(VF)1.3V, 这有助于降低导通时的功耗。 该二极管适用于需要高效能和低损耗特性的小型电子产品中, 例如在高频开关电源、消费类电子产品中的电源管理模块或是其他要求严苛的便携式电子装置里, 能够提供可靠的整流作用, 并确保电路在高压下的稳定性。
HC1D02065A特性
暂无产品特性。
HC1D02065A应用领域
暂无应用领域。
