HBUK7240100A118

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能， 其最大漏极电流ID可达30A， 耐压值VDSS高达100V， 导通电阻RDON仅为35mΩ， 在VGS为20V时表现尤为优异。 适用于需要高效能与低损耗的电路设计中， 如电源转换、信号放大及开关控制等应用场景， 能够有效提升系统的稳定性和效率。