HBUK721955A118
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HBUK721955A118
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电气参数， 最大漏极电流（ID/A）为50A， 最大漏源电压（VDSS/V）高达60V， 导通电阻（RDON/mR）仅为15mΩ， 支持的最大栅源电压（VGS/V）为20V。 该器件适用于需要高效、快速切换的应用场景， 如电源适配器、充电器以及各类电子设备中的直流转换电路， 可显著减少功率损耗， 提高能源利用效率， 同时保证系统的稳定性和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
82
货期
现货
HBUK721955A118参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 82 |
HBUK721955A118概述
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电气参数， 最大漏极电流（ID/A）为50A， 最大漏源电压（VDSS/V）高达60V， 导通电阻（RDON/mR）仅为15mΩ， 支持的最大栅源电压（VGS/V）为20V。 该器件适用于需要高效、快速切换的应用场景， 如电源适配器、充电器以及各类电子设备中的直流转换电路， 可显著减少功率损耗， 提高能源利用效率， 同时保证系统的稳定性和可靠性。
HBUK721955A118特性
暂无产品特性。
HBUK721955A118应用领域
暂无应用领域。