HBSS84AK215

这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于低功耗应用， 具有0.1A的连续漏极电流能力， 支持最高50V的漏源电压。 其导通电阻为2000mΩ， 适用于对尺寸和功耗有严格要求的场景。 栅源电压范围达到20V， 确保了良好的开关性能。 该MOSFET适合于便携式设备、小型电子装置及需要精密控制的小信号电路中， 如电池供电设备中的负载切换或逻辑电平转换等场合。