HBSS131H6327XTSA1

此款N沟道场效应管（MOSFET）具备240V的漏源击穿电压（VDSS）， 能够承受高达20V的栅源电压（VGS）， 适用于需要高压处理的应用场景。 其最大导通电阻（RDSON）为3毫欧， 当栅极电流（ID）为0.1A时， 确保了较低的功耗和高效的电力转换性能。 该MOSFET适用于消费电子产品中的电源管理模块， 如便携式设备的电池保护电路或家用电器的开关电源设计中， 有助于提升系统的整体能效。