HBR20200YD
IC
TO-263
可供量大可议
HBR20200YD
特性：NH平面肖特基势垒芯片技术。 低正向压降， 高效率。 低功耗， 高可靠性。 高频开关速度。 应用：开关电源 (SMPS)。 快速充电器
品牌
NH
封装
TO-263
库存
1,520
货期
现货
HBR20200YD参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | NH(纽航) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1520 |
HBR20200YD概述
特性：NH平面肖特基势垒芯片技术。 低正向压降， 高效率。 低功耗， 高可靠性。 高频开关速度。 应用：开关电源 (SMPS)。 快速充电器
HBR20200YD特性
暂无产品特性。
HBR20200YD应用领域
暂无应用领域。