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HBCX56TF
IC

SOT-89-3

可供量大可议

HBCX56TF

这款NPN型三极管(BJT)具有1A的集电极电流(IC)容量和80V的集电极发射极击穿电压(VCEO), 适用于多种电子设备中的信号放大和开关应用。 其电流增益(HFE)范围为100到250, 确保了良好的放大性能。 此外, 该三极管的特征频率(FT)为130MHz, 表明其在高频电路中依然能保持稳定的响应速度, 适用于高频信号处理和通信设备中的调制解调应用, 同时也是构建高性能音频放大器的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-89-3

库存

1

货期

现货

HBCX56TF参数

封装SOT-89-3
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类三极管(BJT)
库存1

HBCX56TF概述

这款NPN型三极管(BJT)具有1A的集电极电流(IC)容量和80V的集电极发射极击穿电压(VCEO), 适用于多种电子设备中的信号放大和开关应用。 其电流增益(HFE)范围为100到250, 确保了良好的放大性能。 此外, 该三极管的特征频率(FT)为130MHz, 表明其在高频电路中依然能保持稳定的响应速度, 适用于高频信号处理和通信设备中的调制解调应用, 同时也是构建高性能音频放大器的理想选择。

HBCX56TF特性

暂无产品特性。

HBCX56TF应用领域

暂无应用领域。

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