HBCP56T1G
IC
SOT-223
可供量大可议
HBCP56T1G
该款NPN型三极管(BJT)具备1A的集电极最大电流(IC)承载能力和80V的最高集电极发射极电压(VCEO), 适合用于各种电路设计。 其共射极电流增益(HFE)在100至250之间, 适用于要求稳定的放大场合。 此外, 该三极管拥有高达100MHz的特征频率(FT), 意味着它能够在高频电路中保持良好的性能, 是构建放大器或用于高频信号处理的理想选择。 在音频放大、无线电信号处理等领域中, 这款三极管能够提供可靠且高效的解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-223
库存
1,005
货期
现货
HBCP56T1G参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1005 |
HBCP56T1G概述
该款NPN型三极管(BJT)具备1A的集电极最大电流(IC)承载能力和80V的最高集电极发射极电压(VCEO), 适合用于各种电路设计。 其共射极电流增益(HFE)在100至250之间, 适用于要求稳定的放大场合。 此外, 该三极管拥有高达100MHz的特征频率(FT), 意味着它能够在高频电路中保持良好的性能, 是构建放大器或用于高频信号处理的理想选择。 在音频放大、无线电信号处理等领域中, 这款三极管能够提供可靠且高效的解决方案。
HBCP56T1G特性
暂无产品特性。
HBCP56T1G应用领域
暂无应用领域。
