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HBCP56T1G
IC

SOT-223

可供量大可议

HBCP56T1G

该款NPN型三极管(BJT)具备1A的集电极最大电流(IC)承载能力和80V的最高集电极发射极电压(VCEO), 适合用于各种电路设计。 其共射极电流增益(HFE)在100至250之间, 适用于要求稳定的放大场合。 此外, 该三极管拥有高达100MHz的特征频率(FT), 意味着它能够在高频电路中保持良好的性能, 是构建放大器或用于高频信号处理的理想选择。 在音频放大、无线电信号处理等领域中, 这款三极管能够提供可靠且高效的解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-223

库存

1,005

货期

现货

HBCP56T1G参数

封装SOT-223
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存1005

HBCP56T1G概述

该款NPN型三极管(BJT)具备1A的集电极最大电流(IC)承载能力和80V的最高集电极发射极电压(VCEO), 适合用于各种电路设计。 其共射极电流增益(HFE)在100至250之间, 适用于要求稳定的放大场合。 此外, 该三极管拥有高达100MHz的特征频率(FT), 意味着它能够在高频电路中保持良好的性能, 是构建放大器或用于高频信号处理的理想选择。 在音频放大、无线电信号处理等领域中, 这款三极管能够提供可靠且高效的解决方案。

HBCP56T1G特性

暂无产品特性。

HBCP56T1G应用领域

暂无应用领域。

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