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HBAV99W115
IC

SOT-323

可供量大可议

HBAV99W115

此款开关二极管设计紧凑, 具备0.2A的标称正向电流(IF), 并能承受高达70V的最大反向电压(VR)。 当正向电压(VF)为1.25V时, 其性能稳定可靠。 该二极管在室温条件下的反向漏电流(IR)不超过2.5μA, 同时支持最高达2A的瞬态正向电流(IFSM)。 这些电气特性使其成为电子设备中用于高速开关应用的理想选择, 如在日常电子装置里的信号检测与保护电路中发挥关键作用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

540

货期

现货

HBAV99W115参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类开关二极管
库存540

HBAV99W115概述

此款开关二极管设计紧凑, 具备0.2A的标称正向电流(IF), 并能承受高达70V的最大反向电压(VR)。 当正向电压(VF)为1.25V时, 其性能稳定可靠。 该二极管在室温条件下的反向漏电流(IR)不超过2.5μA, 同时支持最高达2A的瞬态正向电流(IFSM)。 这些电气特性使其成为电子设备中用于高速开关应用的理想选择, 如在日常电子装置里的信号检测与保护电路中发挥关键作用。

HBAV99W115特性

暂无产品特性。

HBAV99W115应用领域

暂无应用领域。

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