HBAV99W115
IC
SOT-323
可供量大可议
HBAV99W115
此款开关二极管设计紧凑, 具备0.2A的标称正向电流(IF), 并能承受高达70V的最大反向电压(VR)。 当正向电压(VF)为1.25V时, 其性能稳定可靠。 该二极管在室温条件下的反向漏电流(IR)不超过2.5μA, 同时支持最高达2A的瞬态正向电流(IFSM)。 这些电气特性使其成为电子设备中用于高速开关应用的理想选择, 如在日常电子装置里的信号检测与保护电路中发挥关键作用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
540
货期
现货
HBAV99W115参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 540 |
HBAV99W115概述
此款开关二极管设计紧凑, 具备0.2A的标称正向电流(IF), 并能承受高达70V的最大反向电压(VR)。 当正向电压(VF)为1.25V时, 其性能稳定可靠。 该二极管在室温条件下的反向漏电流(IR)不超过2.5μA, 同时支持最高达2A的瞬态正向电流(IFSM)。 这些电气特性使其成为电子设备中用于高速开关应用的理想选择, 如在日常电子装置里的信号检测与保护电路中发挥关键作用。
HBAV99W115特性
暂无产品特性。
HBAV99W115应用领域
暂无应用领域。
