HBAV21WSE308
IC
SOD-323
可供量大可议
HBAV21WSE308
这款开关二极管具有0.2安培的正向电流(IF), 能承受高达200伏特的反向电压(VR), 其正向电压降(VF)为1.25伏特, 并且在室温下反向漏电流(IR)仅为0.1微安, 支持的最大瞬态正向浪涌电流(IFSM)为2安培。 这些特点使得它成为高频信号处理的理想选择, 适用于各种需要快速切换的应用场景, 如电子设备中的逻辑电平转换或保护电路等。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
490
货期
现货
HBAV21WSE308参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 490 |
HBAV21WSE308概述
这款开关二极管具有0.2安培的正向电流(IF), 能承受高达200伏特的反向电压(VR), 其正向电压降(VF)为1.25伏特, 并且在室温下反向漏电流(IR)仅为0.1微安, 支持的最大瞬态正向浪涌电流(IFSM)为2安培。 这些特点使得它成为高频信号处理的理想选择, 适用于各种需要快速切换的应用场景, 如电子设备中的逻辑电平转换或保护电路等。
HBAV21WSE308特性
暂无产品特性。
HBAV21WSE308应用领域
暂无应用领域。
