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HBAV21WSE308
IC

SOD-323

可供量大可议

HBAV21WSE308

这款开关二极管具有0.2安培的正向电流(IF), 能承受高达200伏特的反向电压(VR), 其正向电压降(VF)为1.25伏特, 并且在室温下反向漏电流(IR)仅为0.1微安, 支持的最大瞬态正向浪涌电流(IFSM)为2安培。 这些特点使得它成为高频信号处理的理想选择, 适用于各种需要快速切换的应用场景, 如电子设备中的逻辑电平转换或保护电路等。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

490

货期

现货

HBAV21WSE308参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类开关二极管
库存490

HBAV21WSE308概述

这款开关二极管具有0.2安培的正向电流(IF), 能承受高达200伏特的反向电压(VR), 其正向电压降(VF)为1.25伏特, 并且在室温下反向漏电流(IR)仅为0.1微安, 支持的最大瞬态正向浪涌电流(IFSM)为2安培。 这些特点使得它成为高频信号处理的理想选择, 适用于各种需要快速切换的应用场景, 如电子设备中的逻辑电平转换或保护电路等。

HBAV21WSE308特性

暂无产品特性。

HBAV21WSE308应用领域

暂无应用领域。

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