HBAT54XV2T1G
IC
SOD-523
可供量大可议
HBAT54XV2T1G
本品为独立式的肖特基二极管, 正向压降低至400mV, 确保高效能电力转换与节能表现。 直流反向耐压为30V, 提供可靠保护, 防止反向电压损害。 尽管整流电流为200mA, 但其在低功耗电子设备如蓝牙耳机、智能手表及小型充电电路中展现出色性能, 是追求小型化与高效能设计的理想元件, 为您的创新电子产品提供精悍动力。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOD-523
Stock
180
货期
现货
HBAT54XV2T1GParameters
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
HBAT54XV2T1G概述
本品为独立式的肖特基二极管, 正向压降低至400mV, 确保高效能电力转换与节能表现。 直流反向耐压为30V, 提供可靠保护, 防止反向电压损害。 尽管整流电流为200mA, 但其在低功耗电子设备如蓝牙耳机、智能手表及小型充电电路中展现出色性能, 是追求小型化与高效能设计的理想元件, 为您的创新电子产品提供精悍动力。
HBAT54XV2T1G特性
暂无产品特性。
HBAT54XV2T1G应用领域
暂无应用领域。
