HBAT54SWT1G
IC
SOT-323
可供量大可议
HBAT54SWT1G
这款肖特基二极管具备0.2A的最大连续正向电流(IF), 以及30V的最高反向电压(VR), 确保了在多种电路设计中的可靠性。 它在正向导通时的电压降(VF)为1V, 有助于减少能量损耗。 该二极管在无正向电流时的反向漏电流(IR)小于2微安, 表明其良好的阻断性能。 此外, 它还能承受高达0.6A的瞬时峰值正向浪涌电流(IFSM)。 鉴于这些特点, 这款二极管适用于高频开关、电压保护以及需要快速恢复时间的应用中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
3,180
货期
现货
HBAT54SWT1G参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3180 |
HBAT54SWT1G概述
这款肖特基二极管具备0.2A的最大连续正向电流(IF), 以及30V的最高反向电压(VR), 确保了在多种电路设计中的可靠性。 它在正向导通时的电压降(VF)为1V, 有助于减少能量损耗。 该二极管在无正向电流时的反向漏电流(IR)小于2微安, 表明其良好的阻断性能。 此外, 它还能承受高达0.6A的瞬时峰值正向浪涌电流(IFSM)。 鉴于这些特点, 这款二极管适用于高频开关、电压保护以及需要快速恢复时间的应用中。
HBAT54SWT1G特性
暂无产品特性。
HBAT54SWT1G应用领域
暂无应用领域。
