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HBAT54SWT1G
IC

SOT-323

可供量大可议

HBAT54SWT1G

这款肖特基二极管具备0.2A的最大连续正向电流(IF), 以及30V的最高反向电压(VR), 确保了在多种电路设计中的可靠性。 它在正向导通时的电压降(VF)为1V, 有助于减少能量损耗。 该二极管在无正向电流时的反向漏电流(IR)小于2微安, 表明其良好的阻断性能。 此外, 它还能承受高达0.6A的瞬时峰值正向浪涌电流(IFSM)。 鉴于这些特点, 这款二极管适用于高频开关、电压保护以及需要快速恢复时间的应用中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

3,180

货期

现货

HBAT54SWT1G参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存3180

HBAT54SWT1G概述

这款肖特基二极管具备0.2A的最大连续正向电流(IF), 以及30V的最高反向电压(VR), 确保了在多种电路设计中的可靠性。 它在正向导通时的电压降(VF)为1V, 有助于减少能量损耗。 该二极管在无正向电流时的反向漏电流(IR)小于2微安, 表明其良好的阻断性能。 此外, 它还能承受高达0.6A的瞬时峰值正向浪涌电流(IFSM)。 鉴于这些特点, 这款二极管适用于高频开关、电压保护以及需要快速恢复时间的应用中。

HBAT54SWT1G特性

暂无产品特性。

HBAT54SWT1G应用领域

暂无应用领域。

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