HBAT54HT1G
IC
SOD-323
可供量大可议
HBAT54HT1G
这款独立封装的肖特基二极管, 正向压降仅为800mV, 确保了优良的电能转化效率。 具备30V直流反向耐压能力, 为电路提供稳固保护。 虽然平均整流电流为200mA, 但其小巧身形与高效特性, 使其成为小型电子设备、信号处理及低功耗应用的优选, 如无线耳机、可穿戴设备及高效电源模块, 为您的精密电子设计增添高效能与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
50
货期
现货
HBAT54HT1G参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HBAT54HT1G概述
这款独立封装的肖特基二极管, 正向压降仅为800mV, 确保了优良的电能转化效率。 具备30V直流反向耐压能力, 为电路提供稳固保护。 虽然平均整流电流为200mA, 但其小巧身形与高效特性, 使其成为小型电子设备、信号处理及低功耗应用的优选, 如无线耳机、可穿戴设备及高效电源模块, 为您的精密电子设计增添高效能与可靠性。
HBAT54HT1G特性
暂无产品特性。
HBAT54HT1G应用领域
暂无应用领域。
