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HBAS321QF
IC

SOD-323

可供量大可议

HBAS321QF

这款开关二极管具有以下特性:正向电流(IF/A)可达0.25安培, 反向电压(VR/V)最高为250伏特, 正向电压降(VF/V)仅为1.25伏特, 在反向电压下漏电流(IR/uA)小于0.1微安, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)则可达到4.5安培。 该二极管适用于高频开关电路中, 能够提供快速的开关响应, 同时保持较低的功耗, 适用于消费电子产品中的信号整流或保护电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

60

货期

现货

HBAS321QF参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类开关二极管
库存60

HBAS321QF概述

这款开关二极管具有以下特性:正向电流(IF/A)可达0.25安培, 反向电压(VR/V)最高为250伏特, 正向电压降(VF/V)仅为1.25伏特, 在反向电压下漏电流(IR/uA)小于0.1微安, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)则可达到4.5安培。 该二极管适用于高频开关电路中, 能够提供快速的开关响应, 同时保持较低的功耗, 适用于消费电子产品中的信号整流或保护电路。

HBAS321QF特性

暂无产品特性。

HBAS321QF应用领域

暂无应用领域。

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