HBAS321QF
IC
SOD-323
可供量大可议
HBAS321QF
这款开关二极管具有以下特性:正向电流(IF/A)可达0.25安培, 反向电压(VR/V)最高为250伏特, 正向电压降(VF/V)仅为1.25伏特, 在反向电压下漏电流(IR/uA)小于0.1微安, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)则可达到4.5安培。 该二极管适用于高频开关电路中, 能够提供快速的开关响应, 同时保持较低的功耗, 适用于消费电子产品中的信号整流或保护电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
60
货期
现货
HBAS321QF参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 60 |
HBAS321QF概述
这款开关二极管具有以下特性:正向电流(IF/A)可达0.25安培, 反向电压(VR/V)最高为250伏特, 正向电压降(VF/V)仅为1.25伏特, 在反向电压下漏电流(IR/uA)小于0.1微安, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)则可达到4.5安培。 该二极管适用于高频开关电路中, 能够提供快速的开关响应, 同时保持较低的功耗, 适用于消费电子产品中的信号整流或保护电路。
HBAS321QF特性
暂无产品特性。
HBAS321QF应用领域
暂无应用领域。
