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HBAS21VMFHTE17
IC

SOD-323

可供量大可议

HBAS21VMFHTE17

这款开关二极管具有0.2A的正向平均电流(IF/A), 能够承受最高200V的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.25V, 在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)小于0.1微安。 瞬态正向电流(IFSM/A)峰值可达2A。 该二极管适用于高频开关电路中的信号整流或保护, 以及在各种消费电子产品中作为阻断元件或用于数据线路上的瞬态抑制。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

350

货期

现货

HBAS21VMFHTE17参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类开关二极管
库存350

HBAS21VMFHTE17概述

这款开关二极管具有0.2A的正向平均电流(IF/A), 能够承受最高200V的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.25V, 在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)小于0.1微安。 瞬态正向电流(IFSM/A)峰值可达2A。 该二极管适用于高频开关电路中的信号整流或保护, 以及在各种消费电子产品中作为阻断元件或用于数据线路上的瞬态抑制。

HBAS21VMFHTE17特性

暂无产品特性。

HBAS21VMFHTE17应用领域

暂无应用领域。

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