HB10N200S
IC
TO-252
可供量大可议
HB10N200S
特性：VDS = 100V。 ID = 45A。 RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。 SGT技术。 雪崩能量测试。 快速开关速度。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
R+O
封装
TO-252
库存
63,690
货期
现货
HB10N200S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 63690 |
HB10N200S概述
特性：VDS = 100V。 ID = 45A。 RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。 SGT技术。 雪崩能量测试。 快速开关速度。 应用：电池保护。 负载开关
HB10N200S特性
暂无产品特性。
HB10N200S应用领域
暂无应用领域。