HB10N085SG
IC
TO-252
可供量大可议
HB10N085SG
N沟道MOSFET， 采用先进的分裂栅沟槽技术， 具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻的特点， 适用于电源开关、电池管理和不间断电源应用
品牌
R+O
封装
TO-252
库存
12,237
货期
现货
HB10N085SG参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12237 |
HB10N085SG概述
N沟道MOSFET， 采用先进的分裂栅沟槽技术， 具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻的特点， 适用于电源开关、电池管理和不间断电源应用
HB10N085SG特性
暂无产品特性。
HB10N085SG应用领域
暂无应用领域。