HB06P1H0S
IC
TO-252
可供量大可议
HB06P1H0S
P沟道MOSFET， 低栅极电荷和导通电阻， 快速开关速度， 增强dv/dt能力和高坚固性， 适用于DC-DC转换器和负载开关
品牌
R+O
封装
TO-252
库存
3,885
货期
现货
HB06P1H0S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3885 |
HB06P1H0S概述
P沟道MOSFET， 低栅极电荷和导通电阻， 快速开关速度， 增强dv/dt能力和高坚固性， 适用于DC-DC转换器和负载开关
HB06P1H0S特性
暂无产品特性。
HB06P1H0S应用领域
暂无应用领域。