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HB06N040SG
IC

TO-252

可供量大可议

HB06N040SG

N沟道MOSFET, 具有快速开关速度和高dv/dt能力, 适用于电源开关应用

品牌

R+O

封装

TO-252

库存

5,157

货期

现货

HB06N040SG参数

封装TO-252
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5157

HB06N040SG概述

N沟道MOSFET, 具有快速开关速度和高dv/dt能力, 适用于电源开关应用

HB06N040SG特性

暂无产品特性。

HB06N040SG应用领域

暂无应用领域。

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