HB03N060S
IC
TO-252
可供量大可议
HB03N060S
特性：VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
R+O
封装
TO-252
库存
10,250
货期
现货
HB03N060S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10250 |
HB03N060S概述
特性：VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。 应用：电池保护。 负载开关
HB03N060S特性
暂无产品特性。
HB03N060S应用领域
暂无应用领域。