HB03N056S
IC
TO-252
可供量大可议
HB03N056S
特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 电压控制小信号开关。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
R+O
封装
TO-252
库存
14,880
货期
现货
HB03N056S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14880 |
HB03N056S概述
特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 电压控制小信号开关。 应用：电池保护。 负载开关
HB03N056S特性
暂无产品特性。
HB03N056S应用领域
暂无应用领域。