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HB02N070S
IC

TO-252

可供量大可议

HB02N070S

N沟道MOSFET, 适用于高频开关和同步整流, 具备快速开关速度和高抗dv/dt能力

品牌

R+O

封装

TO-252

库存

3,935

货期

现货

HB02N070S参数

封装TO-252
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存3935

HB02N070S概述

N沟道MOSFET, 适用于高频开关和同步整流, 具备快速开关速度和高抗dv/dt能力

HB02N070S特性

暂无产品特性。

HB02N070S应用领域

暂无应用领域。

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