HAT1126R-VB
IC
SO-8
可供量大可议
HAT1126R-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P型场效应晶体管， 采用Trench技术， 在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。 SOP8； 2个P—Channel沟道, -60V； -5.3A； RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
30
货期
现货
HAT1126R-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
HAT1126R-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P型场效应晶体管， 采用Trench技术， 在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。 SOP8； 2个P—Channel沟道, -60V； -5.3A； RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
HAT1126R-VB特性
暂无产品特性。
HAT1126R-VB应用领域
暂无应用领域。