HAT1047RWS-E-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压为30V， 最大连续漏极电流为12A， 导通电阻为10毫欧。 其参数设计旨在平衡电流承载能力与导通损耗， 适用于中等功率负载场景。 器件常用于电池组保护电路、便携式设备的电源路径管理及电子开关应用， 能够在有限空间内实现高效的功率控制与热管理， 满足消费类电子产品对稳定性的要求。