HAQ3041-01ETG
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HAQ3041-01ETG
该ESD静电保护二极管为单向结构, 适用于单线路保护, 可在5V电压下正常工作, 具备4A峰值电流吸收能力, 能强有力地防御静电放电。 其电容值仅为0.6pF, 对高速信号传输影响微乎其微, 是保护精密电路和提高系统静电防护等级的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
15
货期
现货
HAQ3041-01ETG参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
HAQ3041-01ETG概述
该ESD静电保护二极管为单向结构, 适用于单线路保护, 可在5V电压下正常工作, 具备4A峰值电流吸收能力, 能强有力地防御静电放电。 其电容值仅为0.6pF, 对高速信号传输影响微乎其微, 是保护精密电路和提高系统静电防护等级的理想选择。
HAQ3041-01ETG特性
暂无产品特性。
HAQ3041-01ETG应用领域
暂无应用领域。
