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HAQ3041-01ETG
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HAQ3041-01ETG

该ESD静电保护二极管为单向结构, 适用于单线路保护, 可在5V电压下正常工作, 具备4A峰值电流吸收能力, 能强有力地防御静电放电。 其电容值仅为0.6pF, 对高速信号传输影响微乎其微, 是保护精密电路和提高系统静电防护等级的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

15

货期

现货

HAQ3041-01ETG参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存15

HAQ3041-01ETG概述

该ESD静电保护二极管为单向结构, 适用于单线路保护, 可在5V电压下正常工作, 具备4A峰值电流吸收能力, 能强有力地防御静电放电。 其电容值仅为0.6pF, 对高速信号传输影响微乎其微, 是保护精密电路和提高系统静电防护等级的理想选择。

HAQ3041-01ETG特性

暂无产品特性。

HAQ3041-01ETG应用领域

暂无应用领域。

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