HAOTF8N65

这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的最大工作电流（ID/A）， 能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V）， 适用于高电压应用场合。 其导通电阻（RDSON/mR）为860毫欧姆， 在大电流通过时可保持较低的功率损耗。 栅源电压（VGS/V）的绝对值可达30V， 提供了宽泛的驱动信号范围。 此MOSFET适合用于需要处理较高电压与较大电流的应用， 例如在消费电子产品的电源转换或保护电路中。