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HAONR21321
IC

DFN3X3-8L

可供量大可议

HAONR21321

此款MOS管设计针对低电压应用, 拥有30V的耐压值, 确保了在轻负载和电池供电设备中的安全使用。 内阻仅13毫欧最大, 优化了信号传输速度与能效。 50安培的电流驱动能力, 适合驱动中等电流需求的电路, 是消费电子、便携设备领域提升能效与 miniaturization 设计的理想元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN3X3-8L

库存

230

货期

现货

HAONR21321参数

封装DFN3X3-8L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存230

HAONR21321概述

此款MOS管设计针对低电压应用, 拥有30V的耐压值, 确保了在轻负载和电池供电设备中的安全使用。 内阻仅13毫欧最大, 优化了信号传输速度与能效。 50安培的电流驱动能力, 适合驱动中等电流需求的电路, 是消费电子、便携设备领域提升能效与 miniaturization 设计的理想元件。

HAONR21321特性

暂无产品特性。

HAONR21321应用领域

暂无应用领域。

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