HAONR21321
IC
DFN3X3-8L
可供量大可议
HAONR21321
此款MOS管设计针对低电压应用, 拥有30V的耐压值, 确保了在轻负载和电池供电设备中的安全使用。 内阻仅13毫欧最大, 优化了信号传输速度与能效。 50安培的电流驱动能力, 适合驱动中等电流需求的电路, 是消费电子、便携设备领域提升能效与 miniaturization 设计的理想元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3X3-8L
库存
230
货期
现货
HAONR21321参数
| 封装 | DFN3X3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 230 |
HAONR21321概述
此款MOS管设计针对低电压应用, 拥有30V的耐压值, 确保了在轻负载和电池供电设备中的安全使用。 内阻仅13毫欧最大, 优化了信号传输速度与能效。 50安培的电流驱动能力, 适合驱动中等电流需求的电路, 是消费电子、便携设备领域提升能效与 miniaturization 设计的理想元件。
HAONR21321特性
暂无产品特性。
HAONR21321应用领域
暂无应用领域。
