HAON7401

本P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和32A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）仅为10毫欧， 有助于降低导通损耗并提升系统效率。 器件采用P沟道设计， 适用于多种电源管理应用， 如DC-DC转换器、电源开关、电池保护电路及高性能负载驱动电路。 其低导通电阻与良好热稳定性相结合， 可满足对空间、效率及可靠性有较高要求的电路设计方案。