HAON6226

该款N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID/A）， 适用于高电流应用场合。 其最大工作电压（VDSS/V）为100V， 确保了在高压环境下的可靠性。 导通电阻（RDSON/mR）仅为7.3毫欧， 在导通状态下能有效降低能耗。 栅源电压（VGS/V）的最大值为20V， 提供了可靠的栅极驱动范围。 此MOSFET适用于需要高效能电源管理的设备中， 如消费电子产品中的电源转换及稳压电路等。