HAO3435

这款P沟道场效应管（MOSFET）具有3A的连续排水电流（ID/A）， 额定工作电压（VDSS/V）为20V， 导通电阻（RDSON/mR）为60毫欧姆， 并支持最高12V的栅源电压（VGS/V）。 该MOSFET适用于要求精密控制和低功耗的应用， 如电子玩具中的电源路径管理、家用电器内的信号电平转换或是在个人电子产品中作为逻辑电平开关使用， 确保了电路设计中的灵活性与效率。