HAM7630N
IC
DFN3X3-8L
可供量大可议
HAM7630N
这款场效应管(MOSFET)为N+N沟道设计， 支持最大30安培的漏极电流(ID)与30伏特的漏源电压(VDSS)， 适用于高功率需求的应用。 其导通电阻仅为10毫欧姆(RDON)， 有助于降低功耗并提高系统效率。 栅源电压(VGS)为20伏特， 确保了良好的驱动性能。 该MOSFET适合用于消费电子设备中的高效电源转换、开关控制及各种需要快速响应时间的电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3X3-8L
库存
65
货期
现货
HAM7630N参数
| 封装 | DFN3X3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
HAM7630N概述
这款场效应管(MOSFET)为N+N沟道设计， 支持最大30安培的漏极电流(ID)与30伏特的漏源电压(VDSS)， 适用于高功率需求的应用。 其导通电阻仅为10毫欧姆(RDON)， 有助于降低功耗并提高系统效率。 栅源电压(VGS)为20伏特， 确保了良好的驱动性能。 该MOSFET适合用于消费电子设备中的高效电源转换、开关控制及各种需要快速响应时间的电路中。
HAM7630N特性
暂无产品特性。
HAM7630N应用领域
暂无应用领域。