HAM60N0209D

这款N沟道场效应管（MOSFET）能够承载60A的持续漏极电流， 具有20V的漏源电压耐受能力。 其导通电阻仅为5mΩ， 有助于减少功率损耗并提升系统效率。 该MOSFET在12V栅源电压下表现出色， 适用于需要高效能和快速响应的应用场合， 如消费电子设备中的电源管理、开关电源、便携式设备的电池保护电路以及各种家用电器内的控制模块。